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元件参数资料
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参数目录39784
> FDD3706 MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
型号:
FDD3706
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDD3706 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
14.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫欧 @ 16.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1882pF @ 10V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
标准包装
其它名称
FDD3706FSDKR
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